С помощью молекул будет увеличена емкость флэш-памяти

Испанскими учёными совместно с коллегами из Великобритании предложено смелое решение - создавать устройства для хранения информации на основе кластеров наноразмерных полиоксометаллатов. Таким образом планируется существенно увеличить размеры обыкновенной флэш-памяти и уменьшить их физические объемы.

Задумка авторов такой смелой идеи состоит в замене МОП-структуры, используемой в полупроводниках флэш-памяти, на новые составляющие – кластеры полиоксометаллатов. Научные эксперименты по этому вопросу прошли успешно в плане встраивания в память. МОП-структура обычно используется для создания разных полупроводниковых приборов.

Управлять проводимыми свойствами МОП-структуры планируется с помощью подачи на ее затвор (электрод) напряжения. Ученые догадались модифицировать существующий оксидный слой МОП-структуры, с помощью его дополнения наноразмерными полиоксометаллатами.

Материал полиоксометаллат – это группа металлооксидных соединений кластерного типа, имеющая богатую геометрию. Они часто выступают в качестве источника катализатора из-за их низкой чувствительности к наличию окислителей. Такие абсолютно новые окислительные возможности, используемые в МОП-структуре, позволяют существенно увеличить объемы хранимой памяти.